■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）
型号列表及主要技术指标：
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参 数
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测试条件
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DInGaAs1600
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测试条件
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DInGaAs1650
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测试条件
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DInGaAs1700
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最小值
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典型值
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最大值
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最小值
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典型值
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最大值
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最小值
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典型值
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最大值
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光敏面直径(mm)
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1.5
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5
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5
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光谱响应
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900-1600
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800-1650
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800-1700
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范围(nm)
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响应度Re(A/W)
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@850nm
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0.1
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0.2
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VR=0V @1300nm
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0.8
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0.85
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-
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VR=10mV @1310nm
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-
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0.75
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-
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@1300nm
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0.8
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0.9
|
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VR=0V
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0.85
|
0.9
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-
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VR=10mV @1550nm
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-
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0.8
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-
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峰值@1550nm
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0.95
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@1550nm
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暗电流Io(nA)
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VR=0V
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0.1
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1
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10
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VR=0V
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5
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10
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NEP
(pW Hz-1/2)
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@1550nm
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0.28
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信号输出
模式
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电流
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电流
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电流
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输出信号
极性
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正（P）
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正（P）
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|
正（P）
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■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：
型号列表及主要技术指标：
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型号/参数
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DInGaAs1700-TE
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DInGaAs1900-TE
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DInGaAs2200-TE
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DInGaAs2400-TE
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DInGaAs2600-TE
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光敏面直径(mm)
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3
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3
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3
|
3
|
3
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波长范围(nm)
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800-1700
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800-1900
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800-2200
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800-2400
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800-2600
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峰值响应度(A/W)
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0.9
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1
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1.1
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1.15
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1.2
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D*(典型值)
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8.4×1013
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9.1×1012
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1.9×1012
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9.6×1011
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4.9×1011
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NEP(典型值)
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3.2×10-15
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2.9×10-14
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1.4×10-13
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2.8×10-13
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5.5×10-13
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温控器型号
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ZTC
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ZTC
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ZTC
|
ZTC
|
ZTC
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探测器温度(℃)
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-40
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-40
|
-40
|
-40
|
-40
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温度稳定度(℃)
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±0.5
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±0.5
|
±0.5
|
±0.5
|
±0.5
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环境温度(℃)
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+10~+40
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+10~+40
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+10~+40
|
+10~+40
|
+10~+40
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信号输出模式
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电流
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电流
|
电流
|
电流
|
电流
|
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输出信号极性
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正（P）
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正（P）
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正（P）
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正（P）
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正（P）
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备注
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制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）
推荐使用前置放大器型号：ZPA-7
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铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；