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• NIR Testing Techniques for MEMS Devices

  在半导体制造过程中，前期的全自动晶圆缺陷检测技术非常重要。因为在后端的生产流程中，通常会有多片晶圆粘合到一起，或者把晶圆粘合到不透明的材料上。因为半导体材料对可见光都是不透明的，所以很难用可见图像技术对粘合效果做表征或者检测粘合表面的污染。近红外检测技术是在半导体工业的质量监控一项有前途的新技术。本文重点介绍近红外成像检测技术在MEMS工业生产中发挥的重要性！
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• Photoluminescence And Electroluminescence characteristics testing of InGaN/GaN Quantum Well

  从上世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度LED的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在⾼高温、酸碱、辐射环境下使⽤用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。
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• Study on Raman Spectroscopic of Cu2O Nanowires

  氧化亚铜为一价铜的氧化物，是鲜红色粉末状固体，几乎不溶于水，在酸性溶液中化为二价铜。它是一种重要的P型半导体材料，禁带宽度仅为2.1eV，光电转换效率可达到18%。1998年氧化亚铜被发现可作为催化剂在阳光下将水分解成氢气和氧气，证明是一种极具前景的光催化氧化材料。现今，随着纳米材料的发展，不仅已经制备各种尺寸及形貌的氧化亚铜微纳米结构，还提出了多种形貌控制理论，如量子点、纳米线、纳米片、纳米球、多面体、空心结构等。纳米级的Cu2O还具有独特的光学和磁学性质，在光电转换、工业催化和气体传感器等方面也得到了广泛的应用。
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