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APPLICATION

表面配体触发纳米晶缺陷调控:实现高效纯蓝光钙钛矿LED

——DBSA强酸配体抑制氯缺陷,470 nm蓝光外量子效率达24.5%

一、研究背景

胶体纳米晶在光电器件中潜力巨大,但传统研究多关注配体对晶体结构、形貌和分散性的调控,而配体对纳米晶内部缺陷的调节作用长期被忽视。对于混合卤素钙钛矿(CsPb(BrₓCl₁₋ₓ)₃)蓝光纳米晶,氯空位是导致非辐射复合和效率降低的主要内部缺陷。如何通过配体设计从源头抑制这类缺陷,是提升蓝光LED性能的关键。


 

浙江大学何海平、戴兴良教授团队系统揭示了强酸配体DBSA(十二烷基苯磺酸) 在合成过程中对卤素离子活性的调控机制,实现了对纳米晶组分和内部缺陷的精准控制。通过调节DBSA用量,成功制备了发光波长470 nm、PLQY约90%的纯蓝光CsPb(BrₓCl₁₋ₓ)₃纳米晶,并制备出外量子效率(EQE)高达24.5% 的蓝光LED,创下纯蓝光钙钛矿LED的世界纪录。


(图一 策略示意图与基础光学性能)

 二、实验方法与关键设备

1. 纳米晶合成与配体调控

(图二 纳米晶晶体结构表征)

合成在氮气手套箱中进行(图1A)。前驱体包括:PbBr₂、PbCl₂、TOAB(四辛基溴化铵)溶于甲苯;DBSA作为配体添加剂(0~1 mL);Cs/FA/Rb/PA溶液作为铯源注入。反应后加入DDAC进行后处理。

核心创新:DBSA在低极性溶剂中电离产生H⁺和DBS⁻,H⁺与卤素离子(Cl⁻)反应生成HCl并挥发,从而降低反应体系中的氯离子浓度(图1B)。这一过程主动抑制了氯相关缺陷的形成,而非依赖传统后处理钝化。

2. 关键表征设备

本研究使用了多种先进光学表征系统,其中包含 Zolix Instruments 的 OmniFluo900 光谱仪 和 ST-10 条纹相机

  • 稳态光谱:Agilent Cary 5000 UV-Vis、Zolix OmniFluo990(带405 nm脉冲激光)
  • 变温PL:Zolix OmniFluo900 配405 nm皮秒激光(58.6 ps)与液氮温控台
  • 瞬态PL(TRPL)Zolix ST-10条纹相机的皮秒级时间分辨能力,成功捕捉到了DBSA调控后,快速衰减成分(对应载流子捕获)在皮秒尺度上的显著降低,这是传统TCSPC(纳秒级响应)无法分辨的。
  • 飞秒瞬态吸收(TA):Pharos Yb:KGW激光(1030 nm, 200 fs)配合Orpheus-HP OPA产生405 nm泵浦光,探测载流子陷阱过程
  • 热导纳谱(TAS):用于定量分析缺陷激活能(Eₐ)和缺陷态密度(IDOS)
  • 空间电荷限制电流(SCLC):空穴器件结构 ITO/PEDOT:PSS:PFI/Poly-TPD/PF8Cz/CsPbBr₃/MoO₃/Al


三、核心结果与讨论

(图三 纳米晶载流子动力学表征)

1. DBSA调节卤素活性与组分调控

随着DBSA用量从0增至1.0 mL(反应前驱体中),纳米晶的Cl/Br摩尔比从0.414降至0.166(图2B)。XRD显示(200)晶面衍射峰向小角度移动,证实晶格参数增加(图2C),符合Br⁻取代Cl⁻的趋势。PL光谱从450 nm红移至487 nm(图3A),吸收边也相应红移,实现了宽光谱可调性

值得注意的是,DBSA用量增加导致纳米晶尺寸从~11.3 nm减小至~6.6 nm(图2A),但PL却红移,这反常现象源于氯含量降低带来的带隙收缩效应大于量子限域效应。

2. 缺陷抑制与PLQY提升

DBSA用量从0增至1.0 mL,PLQY从<20%激增至~90%(图3B)。变温PL分析(80~300 K)表明,随着DBSA增加,激子结合能从44.9 meV升至129.0 meV(图3C),说明非辐射复合被有效抑制。

瞬态PL(TRPL) 揭示两个衰减通道:快通道(τ₁,6~12 ns)为激子辐射复合,慢通道(τ₂,19~61 ns)为缺陷辅助复合。DBSA增加后,τ₁和τ₂均缩短,但慢通道比例(A₂)从~40%降至~10%(图S10),表明载流子陷阱显著减少

皮秒分辨TRPL(图3E)和飞秒TA(图3F)进一步证实:氯含量降低后,载流子在数百皮秒内的陷阱捕获过程明显减弱,更多载流子留在带边进行辐射复合。

3. 热导纳谱(TAS)定量缺陷分析

通过测量器件电容-频率随温度的变化(图3G-I),提取缺陷激活能(Eₐ)和积分缺陷态密度(IDOS)。DBSA从0增至1.0 mL后,Eₐ从0.286 eV降至0.123 eV,IDOS从2.67×10¹⁵ cm⁻³降至6.47×10¹⁴ cm⁻³,证明DBSA有效抑制了深能级氯相关缺陷。SCLC测量结果(图S16)进一步佐证了缺陷密度的降低。

4. 蓝光LED器件性能

(图四 LED器件光电性能表征)

采用多层器件结构(图4A):ITO/NiOₓ/PEDOT:PSS:PFI/PF8Cz/CsPb(BrₓCl₁₋ₓ)₃/TPBi/PO-T2T/LiF/Al。不同DBSA用量对应LED的EL峰从448 nm至482 nm可调(图4B),CIE坐标覆盖深蓝到天蓝区域。

关键性能参数(图4C-E):

  • 开启电压:2.3~2.5 V(低于光子能量,得益于钙钛矿特有的电子-声子耦合)
  • *大EQE:从448 nm的3.4%单调增至482 nm的27.4%
  • 470 nm纯蓝光:*佳EQE达24.5%,亮度超过1000 cd/m²(图5C-D)
  • 稳定性:25个器件平均EQE 23.4±0.56%,即使在10 V驱动下EL峰位仍稳定在470 nm(图5F)

5. 对比实验:有/无DBSA的470 nm纳米晶

(图五 机理解析) 

为排除能带结构差异,专门合成了发射峰均为470 nm的两组纳米晶(图5A):DBSA组(含DBSA)和对照组(不含DBSA,通过调节前驱体比例获得)。TA动力学(图5B)显示DBSA组的地面漂白恢复显著更慢,表明缺陷更少;TRPL寿命更短(图S20)反而对应更高PLQY,说明缺陷辅助复合被抑制。LED性能:DBSA组*大EQE 24.5%,对照组仅为~11%;DBSA组平均EQE 23.4%,是对照组的2倍(图5E)。

四、结论

本研究揭示了表面配体对纳米晶内部缺陷的调控新机制:强酸配体DBSA电离产生的H⁺与Cl⁻反应,主动降低反应体系中的氯离子浓度,从而从源头抑制氯空位缺陷的形成。这一策略突破了传统配体仅调控表面缺陷的局限,实现了对纳米晶内部组分的可控调节。

基于此,获得的470 nm纯蓝光CsPb(BrₓCl₁₋ₓ)₃纳米晶PLQY高达90%,蓝光LED外量子效率达24.5%,为目前纯蓝光钙钛矿LED的*高纪录。本研究为钙钛矿纳米晶的缺陷工程提供了全新的配体设计思路,推动了高效蓝光钙钛矿光电器件的实际应用。

条纹相机测试TRPL相较于传统方式的优点

皮秒级高时间分辨率

条纹相机具备亚皮秒级的时间分辨能力,能够捕捉发光材料中极短寿命的载流子动力学过程(如激子捕获、能量转移等),而传统 TCSPC 通常受限于纳秒级响应,难以分辨超快过程。

宽动态范围与高灵敏度

条纹相机具有极高的动态范围,可同时记录强信号与弱信号的衰减过程,尤其适合探测材料中微量缺陷态引发的微弱快速捕获成分。

同时获取时间与光谱信息

条纹相机可同时记录时间分辨的发光光谱(时间-波长-强度三维数据),不仅获得衰减寿命,还能追踪不同波长下的载流子行为变化,而传统 TCSPC 通常只能获取单一波长的衰减曲线。

更适合超快载流子动力学研究

在钙钛矿纳米晶等材料中,载流子捕获往往发生在皮秒尺度。条纹相机的瞬时捕获能力使其成为研究缺陷态、非辐射复合、界面电荷转移等关键物理过程的理想工具

其中,Zolix ST-10条纹相机凭借其超高的时间分辨率(皮秒级) 和单次激发获取完整动力学曲线的能力,在揭示DBSA调控后载流子捕获过程被显著抑制(快速衰减成分比例降低)这一关键机制中,发挥了不可替代的作用。它为从动力学层面验证缺陷工程效果提供了直接、可靠的实验依据。

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